GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480 SFH 481 SFH 482
2.54mm spacing
ø0.45
...
Description
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480 SFH 481 SFH 482
2.54mm spacing
ø0.45
ø4.8 ø4.6
1 0.9 .1
Chip position (2.7)
Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400)
Radiant Sensitive area
ø5.6 ø5.3
5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g
GEO06314
ø0.45
(2.7)
Chip position
Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 0
2.54 mm spacing
welded 14.5 12.5
Approx. weight 0.35 g
Chip position (2.7) ø0.45
5.5 5.0
14.5 12.5
5.3 5.0
ø5.6 ø5.3
GET06013
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1998-04-16
fet06092
Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482)
2.54 spacing
ø4.8 ø4.6
Radiant sensitive area 1.1 .9 0 1.1 0.9
fet06091
5.3 5.0 6.4 5.6
ø4.8 ø4.6
1 0.9 .1
ø5.6 ø5.3
GET06091
glass lens
fet06090
1.1 .9 0
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren q Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Hermetisch dichtes Metallgehäuse q SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216 q SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 63 q SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Gerätefernsteuerungen
Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q Anode is electrically connected to the case q High reliabilit...
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