SFH464

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 ø0.45 2.54 mm spacing Chip position ø4.3 ø4.1 1 0.9 .1 1.1 .9 0 2.7 1 14.5 12.5 3.6 3.0 ø5.5 ø5.2 GET06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR- Features Radiation without IR in the visible red range Cathode is electrically connected to the case Very high efficiency High reliability Short switching time Same package as BP 103, LD 242 DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG q Component subjected to aperture measurement (E 7800) q q q q q q q Anteil q Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Kurze Schaltzeiten Gehäusegleich mit BP 103, LD 242 Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG Lochblendenvermessenes Bauteil (E 7800) Anwendungen q q q q q q q Lichtschranken für Gleich- und Applications q Photointerrupters q Fiber optic transmission Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz q LWL Typ Type SFH 464 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62702-Q1745 Gehäuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at package bottom Semiconductor Group 1 1998-07-15 ...