SFH415

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 9.0 8.2 spacing 2.54mm 0.4 0.8 1.8 1.2 7.8 7.5 5.9 5.5 0.4 0.6 Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g GEO06645 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 Approx. weight 0.4 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q Features q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06630 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) 4.0 3.4 Chip position 0.6 0.4 GEX06630 fexf6626 4.8 4.2 ø4.8 ø5.1 0.6 0.4 SFH 415 SFH 416 Typ Type SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R Bestellnummer Ordering Code Q62702-P296 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Gehäuse...