SFH409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 4.1 3.9 4.0 3.6 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 309, SFH 487 Applications q Photointerrupters q IR remote control of various equipment Wechsellichtbetrieb q IR Fernsteuerungen Typ Type SFH 409 SFH 409-1 1) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P860 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead SFH 409-2 1) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06250 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) ø3.1 ø2.9 (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 SFH 409 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operat...