SFH3400

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Chip position 1.1 1.0 0.3 0.2 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.8 0.6 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im 2.1 1.9 0.5 0.3 1.1 0.9 0.1 0.0 not connected Features q Especially suitable for applications from Bereich von 460 nm bis 1080 nm q Hohe Linearität q SMT-Bauform ohne Basisanschluß, 460 nm to 1080 nm q High linearity q SMT package without base connection, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) q Nur gegurtet lieferbar Anwendungen q Umgebungslicht-Detektor q Lichtschranken für Gleich- und Wechsel- suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) q Available only on tape and reel Applications q q q q lichtbetrieb q Industrieelektronik q „Messen/Steuern/Regeln“ Ambient light detector Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group 1 1998-04-27 SFH 3400 Typ Type SFH 3400 SFH 3400-2 SFH 3400-3 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1796 Q62702-P1103 Q62702-P1805 Gehäuse Package Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter volt...