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NTE5580 Dataheets PDF



Part Number NTE5580
Manufacturers NTE
Logo NTE
Description Silicon Controlled Rectifier
Datasheet NTE5580 DatasheetNTE5580 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com NTE5580 thru NTE5585 Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications Features: D Center Fired Gate D All Diffused Design D Low Gate Current D Low Thermal Impedance D High Surge Electrical Characteristics: Repetitive Peak Off–State and Reverse Voltage, VDRM & VRRM NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

  NTE5580   NTE5580



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www.DataSheet4U.com NTE5580 thru NTE5585 Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications Features: D Center Fired Gate D All Diffused Design D Low Gate Current D Low Thermal Impedance D High Surge Electrical Characteristics: Repetitive Peak Off–State and Reverse Voltage, VDRM & VRRM NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Maximum RMS On–State Current, I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235A Maximum Average On–State Current, IT(AV) TC = +88°C, 180° conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A TC = +80°C, 3 phase conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, ITSM 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A Maximum I2t for Fusing (1.5msec), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32,000A2sec Peak On–State Voltage (TJ = +25°C, 180° conduction, Rated IT(AV)), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7V Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W Typical Turn–Off Time (TJ = 125°C), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250µs Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C Maximum Reverse Recovered Charge (TJ = +25°C), QRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µc Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dV/dt Exponential @ Max. Rated TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs Maximum Required Gate Current to Trigger, IGT TJ = –40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA TJ = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


NTE558 NTE5580 NTE5585


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