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NTE5580 thru NTE5585 Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
Features: D Center Fired Gate D All Diffused Design D Low Gate Current D Low Thermal Impedance D High Surge Electrical Characteristics: Repetitive Peak Off–State and Reverse Voltage, VDRM & VRRM NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Maximum RMS On–State Current, I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235A Maximum Average On–State Current, IT(AV) TC = +88°C, 180° conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A TC = +80°C, 3 phase conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, ITSM 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A Maximum I2t for Fusing (1.5msec), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32,000A2sec Peak On–State Voltage (TJ = +25°C, 180° conduction, Rated IT(AV)), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7V Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W Typical Turn–Off Time (TJ = 125°C), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250µs Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C Maximum Reverse Recovered Charge (TJ = +25°C), QRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µc Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dV/dt Exponential @ Max. Rated TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs Maximum Required Gate Current to Trigger, IGT TJ = –40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA TJ = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .