NTE2986

NTE2986 Logic Level MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220 Type Package Features: D Dynamic dv/dt Rating D Logic Level Gate Drive D RDS(on) Specified at VGS = 4V & 5V D +1755C Operating Temperature D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements D G S Absolute Maximum Ratings: Drain CCPuuorlnrsTTeteiCCnndtu==,(oIN++Duo21st50e(50VC15GC)S. ...=... 5V) .... .... .... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A . 36A 200A Total PDowerearteDiAsbsiopvaetio2n55(CTC. = .. +255C), ....... .P.D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W 1.0W/5C Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +10V Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110mJ Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....