NTE16002

NTE16002 Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 13.5W, 175MHz Absolute Maximum Ratings: Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23W Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified) Parameter OFF Characteristics Collector–Emitter Sustaining Voltage Emitter–Base Breakdown Voltage Collector Cutoff Current V(BR)CEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 1 V(BR)EBO ICEO ICEX IE = 0.25mA, IC = 0 VCE = 30V, IB = 0 VCE...