www.DataSheet4U.com
MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) − MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) Plastic Darlington Complementary Silico...
www.DataSheet4U.com
MJE700, MJE702, MJE703 (
PNP) − MJE800, MJE802, MJE803 (
NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon Power
Transistors
These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
Features
http://onsemi.com
High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC
= 2.0 Adc Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to Limit Leakage − Multiplication Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series Pb−Free Packages are Available*
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER
TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating Symbol VCEO Value 60 80 60 80 Unit Vdc Collector−Emitter Voltage MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Collector−Base Voltage MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current VCB Vdc VEB IC IB 5.0 4.0 0.1 Vdc Adc Adc Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 40 0.32 W mW/_C _C TJ, Tstg –55 to +150
MAXIMUM RATINGS
TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1
MARKING DIAGRAM
YWW JEx0yG
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol qJC
...