MJE703

www.DataSheet4U.com MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) − MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features http://onsemi.com High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to Limit Leakage − Multiplication Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series Pb−Free Packages are Available* 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO Value 60 80 60 80 Unit Vdc Collector−Emitter Voltage MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Collector−Base Voltage MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current VCB Vdc VEB IC IB 5.0 4.0 0.1 Vdc Adc Adc Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 40 0.32 W mW/_C _C TJ, Tstg –55 to +150 MAXIMUM RATINGS TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1 MARKING DIAGRAM YWW JEx0yG THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol qJC ...