Document
www.DataSheet4U.com
MJE243 − NPN, MJE253 − PNP
Preferred Device
Complementary Silicon Power Plastic Transistors
These devices are designed for low power audio amplifier and low−current, high−speed switching applications.
Features http://onsemi.com
• High Collector−Emitter Sustaining Voltage − • High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc • • • •
hFE = 40−200 = 40−120 Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc High Current Gain Bandwidth Product − fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Annular Construction for Low Leakages ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB Pb−Free Packages are Available* VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS, 15 WATTS
TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 100 100 7.0 4.0 8.0 10 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current − Continuous − Peak Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD PD 15 0.12 W mW/_C W mW/_C _C 1.5 0.012 TJ, Tstg –65 to +150
MAXIMUM RATINGS
MARKING DIAGRAM
YWW JE2x3G
Y = Year WW = Work Week JE2x3 = Device Code x = 4 or 5 G = Pb−Free Package
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
ORDERING INFORMATION
Device MJE243 MJE243G MJE253 MJE253G Package TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) Shipping 500 Units/Box 500 Units/Box 500 Units/Box 500 Units/Box
Symbol qJC qJA
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
8.34 83.4
_C/W _C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.
Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
February, 2006 − Rev. 11
Publication Order Number: MJE243/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) ICBO 100 − Vdc Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0) (VCE = 100 Vdc, IE = 0, TC = 125_C) mAdc − − − 0.1 0.1 0.1 Emitter Cutoff Current (VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) IEBO mAdc ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC = 200 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) hFE − 40 15 − − − − 180 − 0.3 0.6 1.8 1.5 Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) (IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) VCE(sat) Vdc VBE(sat) VBE(on) Vdc Vdc Base−Emitter On Voltage (IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) DYNAMIC CHARACTERISTICS Current−Gain − Bandwidth Product (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) fT 40 − − MHz pF Cob 50
MJE243 − NPN,
MJE253 − PNP
http://onsemi.com
2
MJE243 − NPN,
16 TC PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
MJE253 − PNP
1.6 TA PD, POWER DISS.