DatasheetsPDF.com

MJE243 Dataheets PDF



Part Number MJE243
Manufacturers ON
Logo ON
Description POWER TRANSISTORS
Datasheet MJE243 DatasheetMJE243 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com MJE243 − NPN, MJE253 − PNP Preferred Device Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low−current, high−speed switching applications. Features http://onsemi.com • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − • High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc • • • • hFE = 40−200 = 40−120 Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc High Current Gain Bandwidth Product − fT = 40 MHz .

  MJE243   MJE243



Document
www.DataSheet4U.com MJE243 − NPN, MJE253 − PNP Preferred Device Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low−current, high−speed switching applications. Features http://onsemi.com • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − • High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc • • • • hFE = 40−200 = 40−120 Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc High Current Gain Bandwidth Product − fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Annular Construction for Low Leakages ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB Pb−Free Packages are Available* VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS, 15 WATTS TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 100 100 7.0 4.0 8.0 10 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current − Continuous − Peak Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD PD 15 0.12 W mW/_C W mW/_C _C 1.5 0.012 TJ, Tstg –65 to +150 MAXIMUM RATINGS MARKING DIAGRAM YWW JE2x3G Y = Year WW = Work Week JE2x3 = Device Code x = 4 or 5 G = Pb−Free Package THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic ORDERING INFORMATION Device MJE243 MJE243G MJE253 MJE253G Package TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) Shipping 500 Units/Box 500 Units/Box 500 Units/Box 500 Units/Box Symbol qJC qJA Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−Case Thermal Resistance, Junction−to−Ambient 8.34 83.4 _C/W _C/W Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 1 February, 2006 − Rev. 11 Publication Order Number: MJE243/D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 0) VCEO(sus) ICBO 100 − Vdc Collector Cutoff Current (VCB = 100 Vdc, IE = 0) (VCE = 100 Vdc, IE = 0, TC = 125_C) mAdc − − − 0.1 0.1 0.1 Emitter Cutoff Current (VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) IEBO mAdc ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC = 200 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) hFE − 40 15 − − − − 180 − 0.3 0.6 1.8 1.5 Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) (IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) VCE(sat) Vdc VBE(sat) VBE(on) Vdc Vdc Base−Emitter On Voltage (IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) DYNAMIC CHARACTERISTICS Current−Gain − Bandwidth Product (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) fT 40 − − MHz pF Cob 50 MJE243 − NPN, MJE253 − PNP http://onsemi.com 2 MJE243 − NPN, 16 TC PD, POWER DISSIPATION (WATTS) MJE253 − PNP 1.6 TA PD, POWER DISS.


MJE243 MJE243 MJE244


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)