DatasheetsPDF.com

MJD6039 Dataheets PDF



Part Number MJD6039
Manufacturers Motorola
Logo Motorola
Description SILICON POWER TRANSISTORS
Datasheet MJD6039 DatasheetMJD6039 Datasheet (PDF)

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJD6036/D Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications • • • • • • • Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, convertors, and power amplifiers. Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) Available on 16 mm Tape and Reel for Automa.

  MJD6039   MJD6039



Document
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJD6036/D Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications • • • • • • • Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, convertors, and power amplifiers. Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) Available on 16 mm Tape and Reel for Automatic Handling (“T4” Suffix) Surface Mount Replacements for 2N6034– 2N6039 Series Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc Complementary Pairs Simplifies Designs MJD6036 PNP MJD6039 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS NPN 0.243 6.172 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB MJD6036 MJD6039 80 80 5 4 8 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current — Continuous Peak Base Current 100 mAdc Watts W/_C Watts W/_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD PD 20 0.16 Total Power Dissipation (1) @ TA = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.75 0.014 TJ, Tstg – 65 to + 150 CASE 369A–13 CASE 369–07 _C MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS 0.190 4.826 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RθJC RθJA Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case 6.25 71.4 _C/W _C/W *ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 30 mAdc, IB = 0) Collector–Cutoff Current (VCE = 40 Vdc, IB = 0) (1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommende.


MJD6036 MJD6039 MJE1123


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)