LD271

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 2.54 mm spacing 1.3 1.0 5.9 5.5 1.0 0.7 Cathode Approx. weight 0.5 g Chip position GEX06239 Cathode 29 27 9.0 8.2 spacing 2.54mm 0.4 0.8 1.8 1.2 7.8 7.5 5.9 5.5 0.4 0.6 Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g 4.8 4.2 ø4.8 ø5.1 0.6 0.4 GEO06645 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Lange Anschlüsse q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Semiconductor Group 1 Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q long leads q Available in groups q Same package as SFH 300, SFH 203 Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment q Photointerrupters 1997-11-01 fex06628 1.8 1.2 14.0 13.0 ø5.1 ø4.8 4.8 4.2 11.4 11.0 0.6 0.4 LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Typ Type LD 271 LD 271 L LD271 H LD271 HL Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q148 Q62703-Q833 Q62...