UMR12N

UMR12N Switching Diode 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline VRM 80 V IFM 200 mA Io 100 mA IFSM 4000 mA 　 ●Features High reliability Small mold type 　　 ●Inner Circuit Data sheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　 ●Application General switching ●Structure Epitaxial planar ●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC) Parameter Symbol Reverse voltage VR Repetitive peak reverse voltage VRM Average rectified forward current Io Forward current IFM Peak forward surge current IFSM Power dissipation * 　 　 　 PD Junction temperature Tj Storage temperature Tstg *4 elements total ●Characteristics (Ta = 25ºC) Parameter Symbol Forward voltage VF Reverse current IR Capacitance between terminals * Ct Reverse recoverytime trr ※Caution：static electricity *Capacitance：b/w 1pin and 2pin ●Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Basic Ordering Unit(pcs) 3000 Taping Code TN Marking R12 Conditions - t=1μs - Conditions IF=100mA VR=80V VR=6.0V f=1.0MHz - Limits 80 80 100 200 4000 200 150 -55 ～ 150 Unit V V mA mA mA mW ℃ ℃ 　　 Min. - Value per element Typ. Max. Unit - 1.2 V - 0.1 μA - 3.5 pF - - ns 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2018 ROHMCo., Ltd.All rights reserved. 1/5 　 2018/06/06_Rev.005 UMR12N ●Characteristic Curves 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　 Data sheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　...