Q62607-S60

TP 60 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell TP 60 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1120 nm q Kathode = Chipunterseite q Montage durch Schraube/Mutter Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotbereich Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1120 nm q Cathode = back contact q Mounting by bolt/nut Applications q For control and drive circuits q Light pulse scanning q Quantitative light measurements in the visible light and near infrared range Typ Type TP 60 P Bestellnummer Ordering Code Q62607-S60 Semiconductor Group 200 10.95 fso06007 TP 60 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 1 Einheit Unit °C V Top; Tstg VR Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Form der bestrahlun...