F0118G

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse Chipgröße 300 x 300 µm2 Emissionswellenlänge: 950 nm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Lichtschranken bis 500 kHz Sensorik I Features Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in TOPLED® package. Chip size 300 x 300 µm2 Peak wavelength: 950 nm Very highly efficient GaAs LED Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents DC or pulsed operations are possible High reliability High pulse handling capability Applications IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorder, dimmers Remote control for steady and varying intensity Light-reflection switches (max. 500 kHz) Sensor technology Typ Type F 0118G Bestellnummer Ordering Code Q65110A0136 Beschreibung Description Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß, Infrared emitting die, top side anode connection 2003-04-10 1 F 0118G Elektrische Werte (TA = 25 °C) Electrical values1) (TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter Emissionswellenlänge Peak wavelength IF = 10 mA Sp...