TDM3605

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3605  uses  advanced  trench  technology  to  provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐60V/‐132A   RDS(ON) < 7.2mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   Lead free product is available   TO220 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management  DATASHEET TDM3605       ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is  Pulse Drain Current Tested  IDP(TC=25℃)  Continuous Drain Current  ID (TC=25℃)  ID (TC=100℃)  Maximum Power Dissipation  PD(TC=25℃)  PD(TC=100℃)  Thermal Resistance‐Junction to Ambien...