TDM3646

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3646  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 7mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 5.6mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Surface Mount Package   Lead Free and Green Devices available(RoHS Compliant)  Application   PWM applications   Load switch   Power management   Motor Control  DATASHEET TDM3646     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Drain Current @ Continuous(Note 1)  IS（TC=25℃）  ID（TC=25℃）  ID（TC=100℃）  Drain Current @ Current‐P...