TDM3482

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3482  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES     RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   ESD protection   Lead free product is available   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    DATASHEET TDM3482   PPAK-3*3-8        ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Drain Current @ Continuous  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation  Drain Current @ Continuous  Maxi...