DatasheetsPDF.com

BD788 Dataheets PDF



Part Number BD788
Manufacturers ON Semiconductor
Logo ON Semiconductor
Description Complementary Silicon Power Transistor
Datasheet BD788 DatasheetBD788 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com BD787 − NPN, BD788 − PNP Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications. Features http://onsemi.com • Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) 60 Vdc (Min) • High Current−Gain − Bandwidth Product − • • fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Collector−Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc Pb−Free Packages are Available* 4 AMPERES .

  BD788   BD788


Document
www.DataSheet4U.com BD787 − NPN, BD788 − PNP Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications. Features http://onsemi.com • Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) 60 Vdc (Min) • High Current−Gain − Bandwidth Product − • • fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Collector−Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc Pb−Free Packages are Available* 4 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 15 WATTS MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO Value 60 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Base Current VCBO VEBO IC IB 6.0 4.0 8.0 1.0 − Continuous − Peak − Continuous Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 15 0.12 W mW/_C _C TJ, Tstg –65 to +150 TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1 MARKING DIAGRAM THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RqJC Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−Case 8.34 _C/W YWW BD78xG Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. Y = Year WW = Work Week BD78x = Device Code x = 7 or 8 G = Pb−Free Package ORDERING INFORMATION Device BD787 BD787G BD788 BD788G *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. Package TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) Shipping 500 Units/Box 500 Units/Box 500 Units/Box 500 Units/Box © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 1 February, 2006 − Rev. 11 Publication Order Number: BD787/D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS* (TC = 25_C unless otherwise noted) Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Max Unit Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1) (IC = 10 mAdc, IB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 20 Vdc, IB = 0) (VCE = 30 Vdc, IB = 0) VCEO(sus) ICEO 60 − − Vdc 100 mAdc Collector Cutoff Current (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 40 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125°C) Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0) ICEX − − − 1.0 0.1 1.0 mAdc mAdc mAdc IEBO ON CHARACTERISTICS (Note 1) DC Current Gain (IC = 200 mAdc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 1.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) hFE − 40 25 20 5.0 − − − − − − 250 − − − 0.4 0.6 0.8 2.5 2.0 1.8 Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) (IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) (IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) (IC = 4.0 Adc, IB = 800 mAdc) Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) Base−Emitter On Voltage (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) VCE(sat) Vdc VBE(sat) VBE(on) Vdc Vdc DYNAMIC CHARACTERISTICS Current−Gain − Bandwidth Product (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IC = 0) (f = 0.1 MHz) fT 50 − MHz pF Cob BD787 BD788 − − 50 7.


BD788 BD788 BD789


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)