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BT40T60ANFD

Insulated gate bipolar transistor

Description

BT40T60 ANFD ○R BT40T60 ANFD FS IGBT ，，。 RoHS 。 ● FS ，； ● ：VCE(sat),TYP=1.8V @IC=40A,VGE=15V ； VCES IC Ptot （TC=25℃） VCE(sat) 600 40 280 1.8 ：TO-3P（N） V A W V ● ● ● ● （，TC= 25℃） VCES - VGES - IC @TC=25℃ @TC=100℃ ICMa1 @TC=25℃ IF @TC=100℃ IFM @TC=25℃ PD @TC=100℃ @TA=25℃ TJ Tstg TL ...

Huajing Microelectronics

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