Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12 BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12 BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angeg...
Description
BPY 12 BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12 BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anwendungen
q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 25 ns) Applications
q Industrial electronics q For control and drive circuits
feo06697
fso06016
BPY 12 BPY 12 H 1
Typ Type BPY 12 BPY 12 H 1 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P9 Q62702-P1029
Symbol Symbol
Wert Value – 55 ... + 100 20 150
Einheit Unit °C V mW
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation
Top; Tstg VR Ptot
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 180 (≥ 100) 920 400 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm
S
λS max λ
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fl...
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