BP103

BP 103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares EpoxyGieβharz, mit Basisanschluβ Anwendungen q Computer-Blitzlichtgeräte q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 1) 1) Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm q High linearity q TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens, with base connection Applications q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Bestellnummer Ordering Code Q62702-P75 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 Q 62702-P781 103-51) Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Semiconductor Group 211 10.95 fet06017 BP 103 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip sold...