DatasheetsPDF.com

BUL42D Dataheets PDF



Part Number BUL42D
Manufacturers ON Semiconductor
Logo ON Semiconductor
Description 4 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS POWER TRANSISTOR
Datasheet BUL42D DatasheetBUL42D Datasheet (PDF)

BUL42D High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor Integrating an Antisaturation Network and a Transient Voltage Suppression Capability The BUL42D is a state–of–the–art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Main Features: http://onsemi.com 4 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS POWER TRANSISTOR • • • • Free Wheeling Diode Built In Flat DC Current Gain Fast Switching Times and Tight Distribution “Six Sig.

  BUL42D   BUL42D



Document
BUL42D High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor Integrating an Antisaturation Network and a Transient Voltage Suppression Capability The BUL42D is a state–of–the–art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Main Features: http://onsemi.com 4 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS POWER TRANSISTOR • • • • Free Wheeling Diode Built In Flat DC Current Gain Fast Switching Times and Tight Distribution “Six Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter Spreads MAXIMUM RATINGS Rating Collector–Emitter Sustaining Voltage Collector–Base Breakdown Voltage Collector–Emitter Breakdown Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current – Continuous – Peak (Note 1) Base Current – Continuous – Peak (Note 1) *Total Device Dissipation @ TC = 25_C *Derate above 25_C Operating and Storage Temperature Symbol VCEO VCBO VCES VEBO IC ICM IB IBM PD TJ, Tstg Value 400 700 700 9 4.0 8.0 1.0 2.0 75 0.6 –65 to +150 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc Watt W/_C _C TO–220 CASE 221A STYLE 1 BUL 42D YWW MARKING DIAGRAM Y WW = Year = Work Week TYPICAL GAIN Typical Gain @ IC = 1 A, VCE = 2 V Typical Gain @ IC = 0.3 A, VCE = 1 V hFE hFE 13 16 – – ORDERING INFORMATION Device BUL42D Package TO–220 Shipping 50 Units/Rail THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance – Junction–to–Case Thermal Resistance – Junction–to–Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 seconds Symbol RθJC RθJA TL Value 1.66 62.5 260 Unit °C/W °C/W °C 1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10% © Semiconductor Components Industries, LLC, 2002 1 April, 2002 – Rev. 1 Publication Order Number: BUL42D/D BUL42D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Typ Max Unit Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) Collector–Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) Emitter–Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) VCEO(sus) VCBO VEBO ICEO ICES Vdc Vdc Vdc 400 700 9.0 – – – – – 430 780 12 – – – – – – – – @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C 100 200 mAdc mAdc mAdc Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) Emitter–Cutoff Current (VEB = 9 Vdc, IC = 0) 10 200 IEBO 100 ON CHARACTERISTICS Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) VBE(sat) – – 0.85 0.2 1.2 1.0 Vdc Vdc Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc) DC Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 2 Vdc) (IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc) Forward Diode Voltage (IEC = 1.0 Adc) VCE(sat) hFE 8.0 10 13 12 – – – DIODE CHARACTERISTICS VEC V – 0.9 1.5 SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 ms) Turn–Off Time (IC = 1.2 Adc, IB1 = 0.4 A, IB2 = 0.1 A, VCC = 300 V) Toff Tf ms ms 4.6 – – – 6.55 0.8 Fall Time (IC = 2.5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 A, VCC = 150 V, VBE = –2 V) DYNAMIC SATURATION VOLTAGE @ 1 ms @ 3 ms @ 1 ms @ 3 ms Dynamic Saturation Voltage: Determined 1 ms and 3 ms respectively after rising IB1 reaches 90% of f.


BUL416 BUL42D BUL43B


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)