TDM3307

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3307  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch or in PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐50A   RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   HBM ESD capability level of 8KV typical   Lead free product is available   DFN3*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    DATASHEET TDM3307   PPAK-3*3-8    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current  Maximum Power Dissipation (note1)  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipat...