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EMFA0P02VAT Dataheets PDF



Part Number EMFA0P02VAT
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMFA0P02VAT DatasheetEMFA0P02VAT Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.)  100mΩ  ID  ‐3.4A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Bottom View S DD SD GD D PIN 1 SYMBOL  EMFA0P02VAT LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Opera.

  EMFA0P02VAT   EMFA0P02VAT


Document
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.)  100mΩ  ID  ‐3.4A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Bottom View S DD SD GD D PIN 1 SYMBOL  EMFA0P02VAT LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  ±12  ‐3.4  ‐2.4  ‐13.6  2.08  1.33  ‐55 to 150  V  A  W  °C  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty c.


EMZB20P03L EMFA0P02VAT EMB50P03VAT


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