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EMB07P03V Dataheets PDF



Part Number EMB07P03V
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB07P03V DatasheetEMB07P03V Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  7.8mΩ  ID  ‐26A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  TC = 25 °C  TA = 25 °C  VGS  ID  Pulsed Drain Current1  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=‐26A, RG=25Ω .

  EMB07P03V   EMB07P03V


EMFA0P02V EMB07P03V EMF21P02V


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