EMC08N08E

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  75V  D RDSON (MAX.)  8mΩ  ID  118A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMC08N08E LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=85A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±30  118  92  350  85  361  180  227  90  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=38V, L=0.1mH, VG=10V, IL=55A, Rated VDS=75V N-CH  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL...