DatasheetsPDF.com

EMZB21A03VG

Excelliance MOS
Part Number EMZB21A03VG
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMZB21A03VG PDF File

EMZB21A03VG
EMZB21A03VG

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.
)  21mΩ  ID  9A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PIN 1 PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=10A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMZB21A03VG LIMITS  ±20  9  7...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)