EMD07P03H

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  8mΩ  ID  ‐70A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD07P03H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=‐50A, RG=25Ω Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  PD  Tj, Tstg  ±25  ‐70  ‐50  ‐150  ‐50  125  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.1mH, VG=‐10V, IL=‐40A, Rated VDS=‐30V P‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL ...