DatasheetsPDF.com

EMB12K03GP Dataheets PDF



Part Number EMB12K03GP
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB12K03GP DatasheetEMB12K03GP Datasheet (PDF)

    Dual Asymmetric N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  30V  RDSON (MAX.)  15.5mΩ  12.5mΩ  ID  9A  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH.

  EMB12K03GP   EMB12K03GP



Document
    Dual Asymmetric N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  30V  RDSON (MAX.)  15.5mΩ  12.5mΩ  ID  9A  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB12K03GP LIMITS  ±20  ±20  9  10  6  7  36  40  12  12  5  5  2.5  2.5  2  1.1  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  °C  THERMAL RESISTANCE.


EMB15K03GP EMB12K03GP EMB09K03HP


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)