EMB55A03G

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  55mΩ  ID  4.5A    UIS, 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=4.5A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB55A03G LIMITS  ±20  4.5  3.3  18  4.5  1  0.5  2  1.3  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambie...