EMBA5A10G

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.)  100V  150mΩ  ID  3A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％              2013/10/8  EMBA5A10G LIMITS  ±20  3  2.1  12  2  0.8  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  MAXIMUM  25...