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EMB06N03G Dataheets PDF



Part Number EMB06N03G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB06N03G DatasheetEMB06N03G Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  6mΩ  ID  18A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω  L = 0.05mH  .

  EMB06N03G   EMB06N03G


EMB06N03GH EMB06N03G EMB16N06H


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