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EMD25N10A Dataheets PDF



Part Number EMD25N10A
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD25N10A DatasheetEMD25N10A Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  25mΩ  ID  50A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=30A, RG=25Ω  L = 0.05mH  .

  EMD25N10A   EMD25N10A


EMD50N10A EMD25N10A EMC13N08A


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