EMB35C04A

    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      BVDSS  RDSON (MAX.)  N‐CH  40V  35mΩ  P‐CH  ‐40V  44mΩ  D1 G1 ID  12A  ‐9A  S1     Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  D2 G2 S2 PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％        2012/11/27  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL      EMB35C04A LIMITS  N‐CH  P‐CH  ±20  ±20  ...