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European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FZ 1200 R 16 KF4
screwing depth max. 8 31,5
61,5 18
130 114
M8
M4 28
CC
E
7
E G
C
16,5 2,5 18,5
E
C C
G E
E
external connection (to be done) C
E external connection (to be done)
VWK Apr. 1997
IGBT-Module
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung Eingangskapazit.