NPN Transistor
КТ368АМ, БМ, ВМ
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-плана...
Description
КТ368АМ, БМ, ВМ
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.
Номер технических условий аАО.365.025 ТУ / 02
Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C
Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение Эмиттер База Коллектор
КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Токр. среды = +25 °С
Паpаметpы
Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока КТ368АМ КТ368БМ КТ368ВМ Коэффициент шума для КТ368АМ
Граничное напряжение
Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная времени цепи обратной связи
Обозначение
Iкбо Iэбo h21Е
Ед. изм.
Режимы
измеpения
мкА Uкб=15B, Iэ=0
мкА Uэб=4B
Uкб=1B, Iэ= 10мA
Кш
Uкэо гр
Uбэ(нас) Cк Cэ τк
дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6*107 Гц, Rг =75 Ом
В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100
В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц
пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3*107 Гц
Min Max
0,5 1,0
50 450 50 450 100 450 - 3,3
15 -
0,9 -1,35 - 1,7 -3 - 15
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ368АМ-ВМ
Параметры Напряжение коллектор-база
Импульсное напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp
Импульсное...
Similar Datasheet