KT368AM

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. Номер технических условий аАО.365.025 ТУ / 02 Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока КТ368АМ КТ368БМ КТ368ВМ Коэффициент шума для КТ368АМ Граничное напряжение Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Обозначение Iкбо Iэбo h21Е Ед. изм. Режимы измеpения мкА Uкб=15B, Iэ=0 мкА Uэб=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6*107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3*107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 50 450 100 450 - 3,3 15 - 0,9 -1,35 - 1,7 -3 - 15 Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ368АМ-ВМ Параметры Напряжение коллектор-база Импульсное напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp Импульсное...