FPD6836P70

  FPD6836P70  Low‐Noise High‐Frequency Packaged pHEMT  GENERAL DESCRIPTION                                                                             Package ‐ P70     The FPD6836P70 is a low parasitic, surface   mountable packaged depletion mode    pseudomorphic  High  Electron  Mobility  Transistor   (pHEMT)  optimised  for  low‐noise,  high‐frequency   applications.          Key Characteristics  Applications  22dBm Output Power (P1dB)   15dB Gain at 5.8GHz   0.8dB Noise Figure at 5.8GHz   32dB Output IP3 at 5.8GHz   45% Power‐Added Efficiency at 5.8GHz   Usable Gain to 18GHz   Gain blocks and medium power stages   WiMax (2GHz to 11GHz)   WLAN 802.11a (5.8GHz)   Point‐to‐Point Radio (to 18GHz)  TYPICAL PERFORMANCE    PARAMETER  P1dB at Gain Compression  Power‐Added Efficiency  Maximum Stable Gain (|S21/S12|)  Small‐Signal Gain  Output Third‐Order Intercept Point  Saturated Drain‐Source Current  Maximum Drain‐Source Current  Transconductance   Gate‐Source Leakage Current   Pinch‐Off Voltage   Gate‐Source Breakdown Voltage  Gate‐Drain Breakdown Voltage  Thermal Resistivity   Noise Figure   Note: TAMBIENT=22°C        SYMBOL  P1dB  PAE  MSG  SSG  OIP3  IDSS  IMAX  GM  IGSO  VP  BVGS  BVGD  θJC   NF  SPECIFICATION  MIN   TYP  MAX    22      45      15      12    14  16    UNIT  dBm  %      dB    32    dBm  90        |0.7|  |12.0|  |14.5|      105  135  mA  215    mA  140    mS  1    µA  |1.0|  |1.3|  V  |14.0|    V  |16.0|    V  275    °C/W...