FX2000A

FX2000A ... FX2000G FX2000A ... FX2000G Superfast Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-06-28 Nominal Current Nennstrom Ø 8±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 62.5±0.5 7.5±0.1 Weight approx. Gewicht ca. Ø 1.6±0.05 Dimensions - Maße [mm] Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 20 A 50...400 V Ø 8 x 7.5 [mm] 2.0 g Maximum ratings Type Typ FX2000A FX2000B FX2000D FX2000F FX2000G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 400 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 300 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV 20 A 1) IFRM 130 A 1) IFSM 650/715 A i2t 2112 A2s Tj -50...+150°C Tj +200°C TS -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Ans...