TDM3607

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3607  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device is suitable for use as a load switch or in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   ‐60V/‐132A   RDS(ON) < 7.2mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   Lead free product is available   TO263 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management        ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is  Pulse Drain Current Tested  IDP(TC=25℃)  Continuous Drain Current  ID (TC=25℃)  ID (TC=100℃)  Maximum Power Dissipation  PD(TC=25℃)  PD(TC=100℃)  Thermal Resistance‐Junction to Ambient  RθJA  Therma...