TDM3510

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3510  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 15.6mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10.2mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation    Drain Current @ Continuous  Maximum Power Dissipation    Maximum Operating Junction Temperature  Storage Temperature Range    ...