TDM3424

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3424  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge  .This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.      GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 23mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   Surface Mount Package    Application   PWM applications   Load switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous(Note 1)  VGS  ID（25℃）  ID（70℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  IDM  PD  Operating Junction and Storage Tempera...