TDM3407

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3407  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This device is suitable for use as a load switch or in  PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐40V PMOS   RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=‐10V  RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=‐20V   Reliable and Rugged   HBM ESD protection level pass 8KV   Lead free product is available   SOP‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management  DATASHEET TDM3407   Top View of Sop‐8  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current(VGS=‐10V) note1  300μs Pulsed Drain Current Tested(VGS=‐10V) note1  Continuous Drain Current (VGS=‐10V) note2  300μs...