TDM3405

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3405  uses  advanced  trench  technology  to  provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This  device is suitable for use as a load switch or in PWM  applications.  GENERAL FEATURES   ‐40V/‐55A   RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 9.4mΩ @ VGS=‐10V  RDS(ON) < 8mΩ @ VGS=‐20V   Reliable and Rugged   HBM ESD capability level of 8KV typical   Lead free product is available   DFN5X6 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management  DATASHEET TDM3405     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current(VGS=‐10V) note1  300μs Pulsed Drain Current Tested note1  Continuous Drain Current (VGS=‐10V) note2  300μs Pulsed Drain Current Tested ...