TDM3205

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3205  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 9.9mΩ @ VGS=‐1.8V    RDS(ON) < 6.8mΩ @ VGS=‐2.5V  RDS(ON) < 4.5mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 3.5mΩ @ VGS=‐10V   High Power and current handing capability   Surface Mount Package   Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) Application   PWM applications   Load switch   Power management   Powered Systems  DATASHEET TDM3205   DFN3.3*3.3‐8      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Limit  Drain‐Source Voltage  VDS  ‐20  Gate‐Source Voltage  VGS  +12  Diode Continuous Forward Current  Drain...