30V high-density P-channel MOS transistor
D
SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.
TC2309(:S&CIC1053)
30V P MOS
、
30V P MOS RDS(ON)<53mΩ@VGS= -...
Description
D
SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.
TC2309(:S&CIC1053)
30V P MOS
、
30V P MOS RDS(ON)<53mΩ@VGS= -10V RDS(OFF)<65mΩ@VGS= -4.5V
S1 S2 S3 G4
8D 7D 6D 5D
、
C、
SOP-8
、
(TA=25℃,)
VDSS VGSS
ID IDM IS TJ TSTG
B(TA=25℃,)
BVDSS
VGS=0V, IDS=250uA
IDSS
VGS(th) IGSS
VDS=-24V, VGS=0V TA=25℃
VDS=VGS, IDS=250uA VGS=±12V, VDS=0V
RDS(ON)
VGS=-10V, IDS=-0.5A VGS=-4.5V, IDS=-0.5A
VGS=-2.5V, IDS=-0.5A VSD ISD=-1A, VGS=0V
-30 ±12 -4 -15 -1 150
-55~150
V V A A A ℃ ℃
-30
-0.6
-30 -0.8
43 50 60 -0.7
-1 30 -1.1 ±100 53 65 100 -1.3
V uA uA V nA mΩ mΩ mΩ V
A 11
...
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