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SFH485P Datasheet

Part Number SFH485P
Manufacturers Siemens Semiconductor Group
Logo Siemens Semiconductor Group
Description GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
Datasheet SFH485P DatasheetSFH485P Datasheet (PDF)

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.0 4.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 1.8 1.2 29 27 1.0 0.5 Chip position 0.6 0.4 fex06306 GEX06306 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Gute spektrale Anpassung an S.

  SFH485P   SFH485P






Part Number SFH485
Manufacturers Siemens
Logo Siemens
Description GaAIAs Infrared Emitters
Datasheet SFH485P DatasheetSFH485 Datasheet (PDF)

GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat 0.6 9.0 8.2 0.4 7.8 7.5 Cathode 5.9 5.5 2.54 mm spacing 0.8 0.5 ø5.1 ø4.8 fex06271 1.8 1.2 29 27 Approx. weight 0.5 g 5.7 5.1 Chip position 0.6 0.4 GEX06271 Area not flat 0.6 9.0 Cathode 8.2 0.4 7.8 5.9 7.5 5.5 2.54 mm spacing 0.8 0.5 ø5.1 ø4.8 1.5 29 27 4.8 4.2 Chip position 0.6 0.4 GEX06305 fex06305 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions .

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GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.0 4.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 1.8 1.2 29 27 1.0 0.5 Chip position 0.6 0.4 fex06306 GEX06306 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Sehr plane Oberfläche q Gehäusegleich mit SFH 217 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q Small tolerance: Chip surface to case surface q Good spectral match to silicon photodetectors q Plane surface q Same package as SFH 217 Applications q Light-reflection switches for steady and Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz q LWL varying intensity (max. 500 kHz) q Fibre optic transmission Typ Type SFH 485 P Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q516 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes EpoxyGießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead. Semiconductor Group 1 1998-06-26 SFH 485 P Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operati.


2005-05-20 : SF4-DC48V    SF4-DC5V    SF4-DC60V    SF4-DC9V    SF4001    SF4002    SF4003    SF4004    SF4005    SF4006   


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