GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Area not flat
0.7 0.4
0.6 0.4
5.2 4.5
2.54 mm spacing
0.8 ...
Description
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Area not flat
0.7 0.4
0.6 0.4
5.2 4.5
2.54 mm spacing
0.8 0.4
4.1 3.9
4.0 3.6
Approx. weight 0.3 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 309, SFH 487 Applications
q Photointerrupters q IR remote control of various equipment
Wechsellichtbetrieb q IR Fernsteuerungen
Typ Type SFH 409 SFH 409-1
1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P860 Q62702-P1001 Q62702-P1002
Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead
SFH 409-2
1) 1)
Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06250
1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487)
ø3.1 ø2.9
(3.5) Chip position
0.6 0.4
GEX06250
SFH 409
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operat...
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